蔡司FIB掃描電鏡Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優異的加工性能。無論是在科研或是工業實驗室,您都可以在一臺設備上實現多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可以根據自己需求的變化隨時升級儀器系統。在加工、成像或是實現三維重構分析時,Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。
蔡司Crossbeam專為高通量三維分析和樣品制備量身打造的FIB-SEM
將高分辨率場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)的成像和分析性能與新一代聚焦離子束(FIB)的加工能力相結合。無論在科研機構還是工業實驗室,您都可以在多用戶實驗平臺中工作。利用蔡司Crossbeam的模塊化平臺概念,根據日益增長的需求升級您的系統,例如使用LaserFIB進行大規模材料加工。在切割、成像或執行三維分析時,Crossbeam將提升您的FIB應用效率。
使您的SEM具備強大的洞察力
使用Gemini電子光學系統從高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)圖像中獲取真實的樣品信息。
在進行敏感表面二維成像或三維斷層掃描時,Crossbeam的SEM性能值得您信賴。
加速電壓非常低時也可獲得高分辨率、高襯度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列探測器實現樣品的全方位表征。使用獨特的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
研究不受荷電偽影干擾的非導電樣品。
提升您的FIB樣品制備效率
智能FIB掃描策略快速且精準,移除材料比以往實驗快40%以上。
Ion-sculptor FIB鏡筒采用了一種全新的加工方式:您可以盡可能減少樣品損傷,提升樣品質量,從而加快實驗進程。
使用高達100 nA的離子束束流,高效而精準地處理樣品,并保持高FIB分辨率。
制備TEM樣品時使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能,以獲得超薄樣品,同時盡可能降低非晶化損傷。
在您的FIB-SEM分析中體驗出色的三維空間分辨率
體驗整合的三維EDS和EBSD分析所帶來的優勢。
在切割、成像或執行三維分析時,Crossbeam將提升您的FIB應用效率。
使用我們快速準確的斷層掃描及分析軟硬件包蔡司Atlas 5來擴展您的Crossbeam的性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在斷層掃描的過程中進行EDS和EBSD分析。
盡享FIB-SEM斷層掃描中優異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度,并可獲得表面敏感的材料成分襯度圖像。
在切割過程中收集連續切片圖像以節省時間?勺粉櫟娜S體素尺寸和圖像質量自動控制流程讓您獲益匪淺。
Crossbeam系列
Crossbeam 350
利用低真空操作,使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗。借助Gemini電子光學系統和Ion-sculptor FIB,實現高質量成像和高效率。
Crossbeam 550
選擇更適配樣品的樣品倉尺寸,對要求嚴苛的樣品進行制備與表征。Gemini 2電子光學系統即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析,它無疑是您的理想之選。
Crossbeam laser
該設備可助您切割大量材料和制備大樣品。交換艙內的飛秒激光增強了原位研究,避免了腔室污染,并可配置Crossbeam 350和550。有了它,您可快速找到進入深埋結構的入口,或制備超大或高縱橫比的結構(如原子探針)。
Crossbeam Laser工作流程
快速到達感興趣的深埋位置,進行跨尺度的關聯工作流程,并通過大體積分析獲得更好的樣品代表性。執行EDS或EBSD等三維成像和分析,F在,半自動設備可以幫助您節省時間,提高工作效率。
為您的Crossbeam添加一個飛秒激光器,從而獲得在特定位置極快速制備樣品的優勢。保持FIB-SEM樣品倉清潔,并在需要時通過半自動工作流程遠程操作系統。
您可獲得以下優勢:
快速實現深埋結構的表征
通過飛秒激光在真空環境中對樣品進行加工,有效避免損傷及熱影響區
激光加工在獨立的腔室內完成,不會污染FIB-SEM主腔室和探測器
自動化進行樣品的激光加工、拋光和清潔,并將樣品轉移到FIB樣品倉中
制備從TEM薄片截面到微柱陣列的多種樣品,并使用針對不同材料的預裝配方高效工作
深入了解Crossbeam技術
了解兩種SEM鏡筒Gemini 1和2型以及FIB鏡筒Ion-Sculptor的所有信息。
了解表面敏感成像技術、強大的分析能力和新型FIB加工方法。
SEM電子光學系統
有兩種鏡筒可供選擇
和所有蔡司FE-SEM一樣,Crossbeam的FE-SEM鏡筒基于Gemini 1 VP鏡筒的電子光學系統。有Crossbeam 350的Gemini VP鏡筒或Crossbeam 550的Gemini 2鏡筒可供選擇。
FE-SEM專為高分辨率成像設計,性能的一個關鍵是其電子光學鏡筒。Gemini技術支持所有蔡司FE-SEM和FIB-SEM,它經特別設計,旨在為您呈現任何樣品的優異分辨率(尤其在低加速電壓下),可實現完整高效的探測,且操作簡單。
Gemini電子光學系統有以下三個主要特征
Gemini物鏡的設計結合了靜電場與電磁場,在大幅提升光學性能的同時大大降低了對樣品的影響。如此也可實現對磁性材料等具有挑戰性的樣品的高品質成像。
Gemini電子束推進器技術是一種集成光束減速器,確保了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
Gemini Inlens的探測設計原理通過同時探測二次電子(SE)和背散射電子(BSE),大幅縮短到圖像的時間,確保了高效的信號探測。
從您的FIB-SEM應用中受益
SEM電子束對準可長期保持穩定,改變探針電流和加速電壓對系統幾乎沒有影響
無磁場泄露的光學系統可實現大視野無失真高分辨率成像
樣品傾斜轉動時不影響電子光學系統的性能
Gemini新型光學系統
受益于高度靈敏的表面成像
當前的SEM應用需要以低著陸能量為標準進行高分辨率成像,它對以下方面至關重要:
光束敏感樣品
非導電材料
獲得真實樣品表面信息,而不受樣品更深層背景信號的干擾
新型Gemini光學系統得到了優化,可實現低電壓和極低電壓條件下的分辨率,并可增強襯度。其特點是包含了高分辨率電子槍模式和可選的樣品臺減速技術(Tandem decel)。
高分辨率電子槍模式將電子束最初能量寬度降低30%,以盡可能減小色差,提高圖像分辨率。
FIB-SEM技術
蔡司Crossbeam 550配有Gemini II鏡筒,包括雙聚光鏡和兩個Inlens探測器以及一個以54°傾斜角度裝置的FIB鏡筒。
了解一種全新的FIB處理方式Ion-sculptor FIB鏡筒可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作,讓您盡享該設備對任何樣品的低電壓性能所帶來的優勢。
Crossbeam系列配有新一代聚焦離子束鏡筒Ion-sculptor,具有針對高通量的高電流,以及可實現樣品高質量的出色低電壓。
充分利用Ion-sculptor FIB鏡筒在低電壓下的出色性能來提升樣品質量
盡可能減少樣品的非晶化并在減薄后獲得出色結果
產品具備全面穩定性,確保獲得精準且可重復的結果
通過快速探針電流交換加速FIB應用
借助高達100 nA的電子束流進行高通量實驗
實現小于3 nm的出色的FIB分辨率
Crossbeam系列配有用于長期實驗的自動FIB發射恢復功能
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